Intergrate متعدد المنتجات ، خدمة مراحل كاملة ،
مراقبة الجودة العالية ، متطلبات العملاء كاملة

المبيعات والدعم الفنى
طلب اقتباس - Email

Select Language

English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish

مسكن
منتجات
معلومات عنا
جولة في المعمل
مراقبة الجودة
اتصل بنا
طلب اقتباس

Categories: جميع الفئات

مكون إلكتروني كريستال

الثنائيات الإلكترونية والترانزستورات

وحدة تحكم دقيقة MCU

تخزين بيانات ذاكرة فلاش

موصل لوحة ثنائي الفينيل متعدد الكلور

دائرة متكاملة SMD

وحدة إلكترونية رقمية

موسفيت عالي الطاقة

LED للإلكترونيات الضوئية

المكونات الإلكترونية السلبية

دائرة مطبوعة مرنة FPC

خدمة تجميع ثنائي الفينيل متعدد الكلور

لوحة العرض الرقمية الإلكترونية

ترحيل قوة الإشارة

مفتاح SMD DIP

ادوات المطورين

كابل سلك UL

مجسات المكونات الإلكترونية

جمعيات حلقة الانزلاق

منزل المنتجات الثنائيات الإلكترونية والترانزستورات

DMN62D0U-7 DIODES Trans MOSFET N CH 60V 0.38A 3 Pin SOT-23 T / R

جميع المنتجات

مكون إلكتروني كريستال (67)

الثنائيات الإلكترونية والترانزستورات (26)

وحدة تحكم دقيقة MCU (33)

تخزين بيانات ذاكرة فلاش (20)

موصل لوحة ثنائي الفينيل متعدد الكلور (21)

دائرة متكاملة SMD (159)

وحدة إلكترونية رقمية (6)

موسفيت عالي الطاقة (2119)

LED للإلكترونيات الضوئية (21)

المكونات الإلكترونية السلبية (21)

دائرة مطبوعة مرنة FPC (6)

خدمة تجميع ثنائي الفينيل متعدد الكلور (2)

لوحة العرض الرقمية الإلكترونية (6)

ترحيل قوة الإشارة (12)

مفتاح SMD DIP (25)

ادوات المطورين (6)

كابل سلك UL (2)

مجسات المكونات الإلكترونية (20)

جمعيات حلقة الانزلاق (13)

ابن دردش الآن

DMN62D0U-7 DIODES Trans MOSFET N CH 60V 0.38A 3 Pin SOT-23 T / R

صورة كبيرة : DMN62D0U-7 DIODES Trans MOSFET N CH 60V 0.38A 3 Pin SOT-23 T / R افضل سعر

تفاصيل المنتج:

مكان المنشأ:	الصين
اسم العلامة التجارية:	DIODES
رقم الموديل:	DMN62D0U-7

شروط الدفع والشحن:

الحد الأدنى لكمية:	حزمة الكمية
الأسعار:	contact sales for updated price
تفاصيل التغليف:	الشريط وبكرة
وقت التسليم:	2 أسابيع
شروط الدفع:	تي / ت
القدرة على العرض:	1000+

مفصلة وصف المنتج

إبراز:

ترانس موسفيت 60 فولت

ترانس موسفيت إن سي إتش

DMN62D0U-7 0.38A

DMN62D0U-7 DIODES Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T / R

المواصفات الفنية للمنتج

بنفايات الاتحاد الأوروبي	متوافق
ECCN (الولايات المتحدة)	EAR99
حالة الجزء	نشيط
السيارات	رقم
PPAP	رقم
فئة المنتج	إشارة صغيرة
إعدادات	أعزب
وضع القناة	التعزيز
نوع القناة	ن
عدد العناصر لكل شريحة	1
أقصى جهد مصدر التصريف (V)	60
أقصى جهد لمصدر البوابة (V)	± 20
الحد الأقصى لجهد عتبة البوابة (V)	1
درجة حرارة تقاطع التشغيل (درجة مئوية)	-55 إلى 150
أقصى تيار استنزاف مستمر (A)	0.38
أقصى تيار تسرب لمصدر البوابة (nA)	10000
أقصى IDSS (uA)	1
أقصى مقاومة لمصدر الصرف (MOhm)	2000@4.5 فولت
رسوم البوابة النموذجية @ Vgs (nC)	0.5@4.5 فولت
بوابة نموذجية لتصريف الشحن (nC)	0.09
بوابة نموذجية لشحن المصدر (nC)	0.09
سعة الإدخال النموذجية @ Vds (pF)	32 @ 30 فولت
سعة النقل العكسي النموذجي @ Vds (pF)	2.4 @ 30 فولت
الحد الأدنى من جهد عتبة البوابة (V)	0.5
سعة الإخراج النموذجية (pF)	3.9
أقصى تبديد للطاقة (ميغاواط)	590
وقت السقوط النموذجي (ns)	12.5
وقت الارتفاع النموذجي (ns)	2.5
وقت تأخير إيقاف التشغيل النموذجي (ns)	22.6
وقت تأخير التشغيل النموذجي (ns)	2.4
الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل (درجة مئوية)	-55
درجة حرارة التشغيل القصوى (درجة مئوية)	150
درجة حرارة المورد	السيارات
التعبئة والتغليف	الشريط وبكرة
أقصى تبديد للطاقة على PCB @ TC = 25 ° C (W)	0.59
أقصى تيار استنزاف نبضي @ TC = 25 ° C (A)	1.2
الحد الأقصى للمقاومة الحرارية المحيطة للتقاطع على PCB (° C / W)	338
الجهد الأمامي النموذجي للديود (V)	0.8
جهد هضبة البوابة النموذجية (V)	1.8
أقصى جهد أمامي للديود (V)	1.3
أقصى جهد مصدر إيجابي للبوابة (V)	20
أقصى تيار استنزاف مستمر على PCB @ TC = 25 درجة مئوية (أ)	0.38
حزمة المورد	سوت 23
عدد الدبوس	3
اسم الحزمة القياسي	سوت
تصاعد	سطح جبل
ارتفاع العبوة	0.98
طول الحزمة	2.9
عرض الحزمة	1.3
تغيرت ثنائي الفينيل متعدد الكلور	3
شكل الرصاص	نورس الجناح