Intergrate متعدد المنتجات ، خدمة مراحل كاملة ،
مراقبة الجودة العالية ، متطلبات العملاء كاملة

المبيعات والدعم الفنى
طلب اقتباس - Email

Select Language

English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish

مسكن
منتجات
معلومات عنا
جولة في المعمل
مراقبة الجودة
اتصل بنا
طلب اقتباس

Categories: جميع الفئات

مكون إلكتروني كريستال

الثنائيات الإلكترونية والترانزستورات

وحدة تحكم دقيقة MCU

تخزين بيانات ذاكرة فلاش

موصل لوحة ثنائي الفينيل متعدد الكلور

دائرة متكاملة SMD

وحدة إلكترونية رقمية

موسفيت عالي الطاقة

LED للإلكترونيات الضوئية

المكونات الإلكترونية السلبية

دائرة مطبوعة مرنة FPC

خدمة تجميع ثنائي الفينيل متعدد الكلور

لوحة العرض الرقمية الإلكترونية

ترحيل قوة الإشارة

مفتاح SMD DIP

ادوات المطورين

كابل سلك UL

مجسات المكونات الإلكترونية

جمعيات حلقة الانزلاق

منزل المنتجات مكون إلكتروني كريستال

SI7911DN-T1-E3 VISHAY Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T / R

جميع المنتجات

مكون إلكتروني كريستال (67)

الثنائيات الإلكترونية والترانزستورات (26)

وحدة تحكم دقيقة MCU (33)

تخزين بيانات ذاكرة فلاش (20)

موصل لوحة ثنائي الفينيل متعدد الكلور (21)

دائرة متكاملة SMD (159)

وحدة إلكترونية رقمية (6)

موسفيت عالي الطاقة (2119)

LED للإلكترونيات الضوئية (21)

المكونات الإلكترونية السلبية (21)

دائرة مطبوعة مرنة FPC (6)

خدمة تجميع ثنائي الفينيل متعدد الكلور (2)

لوحة العرض الرقمية الإلكترونية (6)

ترحيل قوة الإشارة (12)

مفتاح SMD DIP (25)

ادوات المطورين (6)

كابل سلك UL (2)

مجسات المكونات الإلكترونية (20)

جمعيات حلقة الانزلاق (13)

ابن دردش الآن

SI7911DN-T1-E3 VISHAY Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T / R

صورة كبيرة : SI7911DN-T1-E3 VISHAY Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T / R افضل سعر

تفاصيل المنتج:

مكان المنشأ:	الصين
اسم العلامة التجارية:	VISHAY
رقم الموديل:	SI7911DN-T1-E3

شروط الدفع والشحن:

الحد الأدنى لكمية:	100
الأسعار:	Pls contact salse for updated price
تفاصيل التغليف:	1000
وقت التسليم:	7-15 يوم
شروط الدفع:	باي بال ، تي / تي
القدرة على العرض:	3 كيلو

مفصلة وصف المنتج

MPN:	SI7911DN-T1-E3	MFR:	فيشاي
أقصى تبديد للطاقة (ميغاواط):	2500	حزمة المورد:	QFN8

المواصفات الفنية للمنتج

بنفايات الاتحاد الأوروبي

متوافق

ECCN (الولايات المتحدة)

EAR99

حالة الجزء

عفا عليها الزمن

السيارات

رقم

PPAP

رقم

فئة المنتج

موسفيت الطاقة

ترتيب

استنزاف مزدوج مزدوج

وضع القناة

التعزيز

نوع القناة

عدد العناصر لكل شريحة

أقصى جهد مصدر التصريف (V)

أقصى جهد لمصدر البوابة (V)

± 8

أقصى تيار استنزاف مستمر (A)

4.2

أقصى مقاومة لمصدر الصرف (MOhm)

51@4.5 فولت

رسوم البوابة النموذجية @ Vgs (nC)

9.5 @ 4.5 فولت

أقصى تبديد للطاقة (ميغاواط)

2500

وقت السقوط النموذجي (ns)

وقت الارتفاع النموذجي (ns)

وقت تأخير إيقاف التشغيل النموذجي (ns)

وقت تأخير التشغيل النموذجي (ns)

الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل (درجة مئوية)

-55

درجة حرارة التشغيل القصوى (درجة مئوية)

150

التعبئة والتغليف

الشريط وبكرة

حزمة المورد

PowerPAK 1212

عدد الدبوس

اسم الحزمة القياسي

PowerPAK 1212

تصاعد

سطح جبل

ارتفاع العبوة

1.07 (كحد أقصى)

طول الحزمة

3.05

عرض الحزمة

3.05

تغيرت ثنائي الفينيل متعدد الكلور

شكل الرصاص

لا يؤدي

بطاقة:

TXC Crystal Electronic Component,

KDS Crystal Electronic Component,

Crystal Electronic Component 0.032768MHz

تفاصيل الاتصال

Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

اتصل شخص: peter

الهاتف :: +8613211027073

إرسال استفسارك مباشرة لنا

أكثر مكون إلكتروني كريستال

معلومات عنا

معلومات عنا

جولة في المعمل

مراقبة الجودة

دائرة متكاملة SMD

CC2541F256RHAR TI RF جهاز الإرسال والاستقبال IC TXRX MCU BLE 5.0 40VQFN

ATMEGA328P-AU MICROCHIP MCU 8-bit AVR RISC 32KB Flash 2.5V / 3.3V / 5V 32-Pin TQFP Tray

TPS92662AQPHPRQ1 TI عالية السطوع LED السائقين سطح جبل 48 دبوس

تخزين بيانات ذاكرة فلاش

24LC256T-E / SN تخزين بيانات ذاكرة فلاش EEPROM I2C 256K بت 8 دبوس SOIC N T / R

فلاش MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F ميكرون ناند مع المحمول LPDDR2 162 كرة MCP

M24M01-RMN6TP تخزين بيانات ذاكرة فلاش Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit

وحدة تحكم دقيقة MCU

STM8S003F3P6TR ST وحدة متحكم دقيق MCU 8 بت STM8 3.3 فولت / 5 فولت 20 دبوس TSSOP T / R

MSP430G2211IPW14R TI وحدة متحكم MCU 16 بت MSP430 2.5 فولت / 3.3 فولت 14 سنًا TSSOP T / R

STM32F030CCT6 ST وحدة متحكم MCU 32 بت ARM Cortex M0 RISC 256 كيلو بايت فلاش

اتصل بنا

اتصل بنا

اطلب اقتباس

E-Mail

خريطة الموقع

موقع الجوال

SI7911DN-T1-E3 VISHAY Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T / R

SI7911DN-T1-E3 VISHAY Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T / R

المواصفات الفنية للمنتج

TXC Crystal Electronic Component,

KDS Crystal Electronic Component,

Crystal Electronic Component 0.032768MHz

Q13FC1350000400 EPSON 32768 كيلو هرتز كريستال 20 جزء في المليون تول 12.5pF 2 دبوس

EXS00A-CS09986 NDK Crystal Electronic Component 19.2MHz 7pF 10ppm SMD2016-4P

G6QE-1A DC12 OMRON Power Relay 12VDC 36A SPST-NO 30.5x16x20.5mm THT

AZ733-2C-12D ZETTLER مرحل ميكانيكي كهربائي DPDT 10A 12VDC 650Ohm من خلال الفتحة

XRCGB32M000F1H00R0 Murata 32 Mhz Crystal 10ppm 6pF 60Ohm 3 In SMD T / R

XRCGB27M120F2P10R0 Murata Crystal 27.12MHz 20ppm 10pF 80Ohm 4 Pin SMD T / R