Intergrate متعدد المنتجات ، خدمة مراحل كاملة ،
مراقبة الجودة العالية ، متطلبات العملاء كاملة

المبيعات والدعم الفنى
طلب اقتباس - Email

Select Language

English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish

مسكن
منتجات
معلومات عنا
جولة في المعمل
مراقبة الجودة
اتصل بنا
طلب اقتباس

Categories: جميع الفئات

مكون إلكتروني كريستال

الثنائيات الإلكترونية والترانزستورات

وحدة تحكم دقيقة MCU

تخزين بيانات ذاكرة فلاش

موصل لوحة ثنائي الفينيل متعدد الكلور

دائرة متكاملة SMD

وحدة إلكترونية رقمية

موسفيت عالي الطاقة

LED للإلكترونيات الضوئية

المكونات الإلكترونية السلبية

دائرة مطبوعة مرنة FPC

خدمة تجميع ثنائي الفينيل متعدد الكلور

لوحة العرض الرقمية الإلكترونية

ترحيل قوة الإشارة

مفتاح SMD DIP

ادوات المطورين

كابل سلك UL

مجسات المكونات الإلكترونية

جمعيات حلقة الانزلاق

منزل المنتجات

موسفيت عالي الطاقة

جميع المنتجات

مكون إلكتروني كريستال (67)

الثنائيات الإلكترونية والترانزستورات (26)

وحدة تحكم دقيقة MCU (33)

تخزين بيانات ذاكرة فلاش (20)

موصل لوحة ثنائي الفينيل متعدد الكلور (21)

دائرة متكاملة SMD (159)

وحدة إلكترونية رقمية (6)

موسفيت عالي الطاقة (2119)

LED للإلكترونيات الضوئية (21)

المكونات الإلكترونية السلبية (21)

دائرة مطبوعة مرنة FPC (6)

خدمة تجميع ثنائي الفينيل متعدد الكلور (2)

لوحة العرض الرقمية الإلكترونية (6)

ترحيل قوة الإشارة (12)

مفتاح SMD DIP (25)

ادوات المطورين (6)

كابل سلك UL (2)

مجسات المكونات الإلكترونية (20)

جمعيات حلقة الانزلاق (13)

ابن دردش الآن

ITS4200SSJDXUMA1 الدوائر المتكاملة Ics SW 1 في 1 OUT 6V إلى 52V 1.2A 8-Pin DSO T / R

IRLML6402TRPBF موسفيت عالي الطاقة P-CH Si 20 فولت 3.7A 3 دبوس SOT-23 T / R

IRLML6401TRPBF إنفينيون Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 دبوس SOT-23 T / R

IRLML2803TRPBF موسيت عالي الطاقة N-CH Si 30V 1.2A 3 دبوس SOT-23 T / R

IRFP4368PbF Infineon Power MOSFET N channel Si 75V 350A 3 Pin TO-247AC Tube

1 2 3 4 5

موسفيت عالي الطاقة

(2119)

MOSFET عالي الطاقة FDN358P أحادي القناة ذات المستوى المنطقي®موسفيت -30 فولت ، -1.5 أمبير ، 125 مΩ
اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN358P أحادي القناة ذات المستوى المنطقي®موسفيت -30 فولت ، -1.5 أمبير ، 125 مΩ [هلا نحن؟] تركز شركة Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd على توريد أشباه الموصلات وبيع المكونات الإلكترونية ... قراءة المزيد افضل سعر

2022-05-30 22:03:51

موسفيت عالي الطاقة FDN357N N-Channel Logic Level Enhancement Mode مجال التأثير الترانزستور 30V ، 1.9A ، 90mΩ
اتصل

عالية الطاقة MOSFET FDN357N N- قناة مستوى المنطق تحسين وضع المجال تأثير الترانزستور 30V ، 1.9A ، 90mΩ [هلا نحن؟] تركز شركة Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd على توريد أشباه الموصلات وبيع المكونات الإلكترو... قراءة المزيد افضل سعر

2022-05-30 22:03:51

MOSFET عالي الطاقة FDN352AP خندق PowerTrench أحادي القناة®موسفيت -30 فولت ، -1.3 أمبير ، 180 متر مكعب
اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN352AP خندق PowerTrench أحادي القناة®موسفيت -30 فولت ، -1.3 أمبير ، 180 متر مكعب [هلا نحن؟] تركز شركة Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd على توريد أشباه الموصلات وبيع المكونات الإلكترو... قراءة المزيد افضل سعر

2022-05-30 22:03:51

MOSFET عالي الطاقة FDN342P P-Channel 2.5V المحدد PowerTrench®موسفيت -20 فولت ، -2 أمبير ، 80 مΩ
اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN342P P-Channel 2.5V المحدد PowerTrench®موسفيت -20 فولت ، -2 أمبير ، 80 مΩ [هلا نحن؟] تركز شركة Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd على توريد أشباه الموصلات وبيع المكونات الإلكترونية وخ... قراءة المزيد افضل سعر

2022-05-30 22:03:51

MOSFET عالي الطاقة FDN340P أحادي القناة ذات المستوى المنطقي PowerTrench®موسفيت -20 فولت ، -2 أمبير ، 70 متر مكعب
اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN340P أحادي القناة ذات المستوى المنطقي PowerTrench®موسفيت -20 فولت ، -2 أمبير ، 70 متر مكعب [هلا نحن؟] تركز شركة Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd على توريد أشباه الموصلات وبيع المكون... قراءة المزيد افضل سعر

2022-05-30 22:03:51

Page 54 of 212|< << 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 >> >|

معلومات عنا

معلومات عنا

جولة في المعمل

مراقبة الجودة

دائرة متكاملة SMD

CC2541F256RHAR TI RF جهاز الإرسال والاستقبال IC TXRX MCU BLE 5.0 40VQFN

ATMEGA328P-AU MICROCHIP MCU 8-bit AVR RISC 32KB Flash 2.5V / 3.3V / 5V 32-Pin TQFP Tray

TPS92662AQPHPRQ1 TI عالية السطوع LED السائقين سطح جبل 48 دبوس

تخزين بيانات ذاكرة فلاش

24LC256T-E / SN تخزين بيانات ذاكرة فلاش EEPROM I2C 256K بت 8 دبوس SOIC N T / R

فلاش MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F ميكرون ناند مع المحمول LPDDR2 162 كرة MCP

M24M01-RMN6TP تخزين بيانات ذاكرة فلاش Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit

وحدة تحكم دقيقة MCU

STM8S003F3P6TR ST وحدة متحكم دقيق MCU 8 بت STM8 3.3 فولت / 5 فولت 20 دبوس TSSOP T / R

MSP430G2211IPW14R TI وحدة متحكم MCU 16 بت MSP430 2.5 فولت / 3.3 فولت 14 سنًا TSSOP T / R

STM32F030CCT6 ST وحدة متحكم MCU 32 بت ARM Cortex M0 RISC 256 كيلو بايت فلاش

اتصل بنا

اتصل بنا

اطلب اقتباس

E-Mail

خريطة الموقع

موقع الجوال

موسفيت عالي الطاقة

ITS4200SSJDXUMA1 الدوائر المتكاملة Ics SW 1 في 1 OUT 6V إلى 52V 1.2A 8-Pin DSO T / R

IRLML6402TRPBF موسفيت عالي الطاقة P-CH Si 20 فولت 3.7A 3 دبوس SOT-23 T / R

IRLML6401TRPBF إنفينيون Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 دبوس SOT-23 T / R

IRLML2803TRPBF موسيت عالي الطاقة N-CH Si 30V 1.2A 3 دبوس SOT-23 T / R

IRFP4368PbF Infineon Power MOSFET N channel Si 75V 350A 3 Pin TO-247AC Tube

موسفيت عالي الطاقة

MOSFET عالي الطاقة FDN358P أحادي القناة ذات المستوى المنطقي<sup>®</sup>موسفيت -30 فولت ، -1.5 أمبير ، 125 مΩ
اتصل

موسفيت عالي الطاقة FDN357N N-Channel Logic Level Enhancement Mode مجال التأثير الترانزستور 30V ، 1.9A ، 90mΩ
اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN352AP خندق PowerTrench أحادي القناة<sup>®</sup>موسفيت -30 فولت ، -1.3 أمبير ، 180 متر مكعب
اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN342P P-Channel 2.5V المحدد PowerTrench<sup>®</sup>موسفيت -20 فولت ، -2 أمبير ، 80 مΩ
اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN340P أحادي القناة ذات المستوى المنطقي PowerTrench<sup>®</sup>موسفيت -20 فولت ، -2 أمبير ، 70 متر مكعب
اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN339AN N-Channel 2.5V محدد PowerTrench<sup>®</sup>20 فولت ، 3 أمبير ، 35 متر مكعب
اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN338P P-Channel 2.5V محدد PowerTrench<sup>®</sup>موسفيت -20 فولت ، -1.6 أمبير ، 115 متر مكعب
اتصل

موسفيت عالي الطاقة FDN337N ترانزستور تأثير المجال على مستوى المنطق N-Channel 30V ، 2.2A ، 65mΩ
اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN336P أحادي القناة ذات المستوى المنطقي<sup>®</sup>موسفيت -20 فولت ، -1.3 أمبير ، 200 متر مكعب
اتصل

موسفيت عالي الطاقة FDN335N N-Channel 2.5V المحدد PowerTrench ™ MOSFET 20 فولت ، 1.7 أمبير ، 70 متر مكعب
اتصل

موسفيت عالي الطاقة

ITS4200SSJDXUMA1 الدوائر المتكاملة Ics SW 1 في 1 OUT 6V إلى 52V 1.2A 8-Pin DSO T / R

IRLML6402TRPBF موسفيت عالي الطاقة P-CH Si 20 فولت 3.7A 3 دبوس SOT-23 T / R

IRLML6401TRPBF إنفينيون Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 دبوس SOT-23 T / R

IRLML2803TRPBF موسيت عالي الطاقة N-CH Si 30V 1.2A 3 دبوس SOT-23 T / R

IRFP4368PbF Infineon Power MOSFET N channel Si 75V 350A 3 Pin TO-247AC Tube

موسفيت عالي الطاقة

MOSFET عالي الطاقة FDN358P أحادي القناة ذات المستوى المنطقي<sup>®</sup>موسفيت -30 فولت ، -1.5 أمبير ، 125 مΩ اتصل

موسفيت عالي الطاقة FDN357N N-Channel Logic Level Enhancement Mode مجال التأثير الترانزستور 30V ، 1.9A ، 90mΩ اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN352AP خندق PowerTrench أحادي القناة<sup>®</sup>موسفيت -30 فولت ، -1.3 أمبير ، 180 متر مكعب اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN342P P-Channel 2.5V المحدد PowerTrench<sup>®</sup>موسفيت -20 فولت ، -2 أمبير ، 80 مΩ اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN340P أحادي القناة ذات المستوى المنطقي PowerTrench<sup>®</sup>موسفيت -20 فولت ، -2 أمبير ، 70 متر مكعب اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN339AN N-Channel 2.5V محدد PowerTrench<sup>®</sup>20 فولت ، 3 أمبير ، 35 متر مكعب اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN338P P-Channel 2.5V محدد PowerTrench<sup>®</sup>موسفيت -20 فولت ، -1.6 أمبير ، 115 متر مكعب اتصل

موسفيت عالي الطاقة FDN337N ترانزستور تأثير المجال على مستوى المنطق N-Channel 30V ، 2.2A ، 65mΩ اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN336P أحادي القناة ذات المستوى المنطقي<sup>®</sup>موسفيت -20 فولت ، -1.3 أمبير ، 200 متر مكعب اتصل

موسفيت عالي الطاقة FDN335N N-Channel 2.5V المحدد PowerTrench ™ MOSFET 20 فولت ، 1.7 أمبير ، 70 متر مكعب اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN358P أحادي القناة ذات المستوى المنطقي<sup>®</sup>موسفيت -30 فولت ، -1.5 أمبير ، 125 مΩ
اتصل

موسفيت عالي الطاقة FDN357N N-Channel Logic Level Enhancement Mode مجال التأثير الترانزستور 30V ، 1.9A ، 90mΩ
اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN352AP خندق PowerTrench أحادي القناة<sup>®</sup>موسفيت -30 فولت ، -1.3 أمبير ، 180 متر مكعب
اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN342P P-Channel 2.5V المحدد PowerTrench<sup>®</sup>موسفيت -20 فولت ، -2 أمبير ، 80 مΩ
اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN340P أحادي القناة ذات المستوى المنطقي PowerTrench<sup>®</sup>موسفيت -20 فولت ، -2 أمبير ، 70 متر مكعب
اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN339AN N-Channel 2.5V محدد PowerTrench<sup>®</sup>20 فولت ، 3 أمبير ، 35 متر مكعب
اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN338P P-Channel 2.5V محدد PowerTrench<sup>®</sup>موسفيت -20 فولت ، -1.6 أمبير ، 115 متر مكعب
اتصل

موسفيت عالي الطاقة FDN337N ترانزستور تأثير المجال على مستوى المنطق N-Channel 30V ، 2.2A ، 65mΩ
اتصل

MOSFET عالي الطاقة FDN336P أحادي القناة ذات المستوى المنطقي<sup>®</sup>موسفيت -20 فولت ، -1.3 أمبير ، 200 متر مكعب
اتصل

موسفيت عالي الطاقة FDN335N N-Channel 2.5V المحدد PowerTrench ™ MOSFET 20 فولت ، 1.7 أمبير ، 70 متر مكعب
اتصل